MEE7816S-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MEE7816S-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 24.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MEE7816S-G Datasheet (PDF)
mee7816s-g.pdf

Preliminary - MEE7816S-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10V The MEE7816S is a N-Channel enhancement mode power field effect Super high density cell design for extremely low RDS(ON) transistors, using Force-MOS patented Extended Trench Gate(ETG) Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This advanced t
mee7816s.pdf

Preliminary - MEE7816S-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10V The MEE7816S is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, EMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density pro
mee7816as-g.pdf

MEE7816AS-G Dual N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10VThe MEE7816AS-G is a N-Channel enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON)effect transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Exceptional on-resistance and maximum DC currentGate(ETG) technology. This advanced technology
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IRFR3710ZPBF | DG840 | KNB1906A | SDF120JDA-D | FDPF8N50NZU | IRLU3715 | IRFR320PBF
History: IRFR3710ZPBF | DG840 | KNB1906A | SDF120JDA-D | FDPF8N50NZU | IRLU3715 | IRFR320PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z