SMP730 Todos los transistores

 

SMP730 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMP730

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO220

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SMP730 datasheet

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SMP730

SMP730 400V N-Channel Power MOSFET Features 6A,400V, RDS(on) =1.0 @VGS=10V Low gate charge ( typical 13 nC) Low Crss ( typical 7pF) 100% avalanche tested Fast switching Improved dv/dt capability Application Electronic Ballast Active power factor correction Switching mode power supply Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise not

Otros transistores... MEE7298-G , MEE7630-G , MEE7636-G , MEE7816AS-G , MEE7816S-G , 2SK815 , MDD2601 , NCE1579C , STP80NF70 , HCA60R040 , MS5N100 , MS5N100S , MS5N100FT , MS5N100FE , MS5N100FD , SJMN600R70F , HCA60R290 .

History: JCS10N65CT | HCFL65R210 | MEE7630-G | AOV11S60 | 4N65L-TF1-T | IPI111N15N3

 

 

 

 

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