Справочник MOSFET. SMP730

 

SMP730 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMP730
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SMP730

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMP730 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  1
 smp730.pdf pdf_icon

SMP730

SMP730 400V N-Channel Power MOSFET Features 6A,400V, RDS(on) =1.0 @VGS=10V Low gate charge ( typical 13 nC) Low Crss ( typical 7pF) 100% avalanche tested Fast switching Improved dv/dt capability Application Electronic Ballast Active power factor correction Switching mode power supply Absolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise not

Другие MOSFET... MEE7298-G , MEE7630-G , MEE7636-G , MEE7816AS-G , MEE7816S-G , 2SK815 , MDD2601 , NCE1579C , 20N50 , HCA60R040 , MS5N100 , MS5N100S , MS5N100FT , MS5N100FE , MS5N100FD , SJMN600R70F , HCA60R290 .

History: MTB35N04J3 | SI2305 | SI5445BDC | SI5441DC

 

 
Back to Top

 


 
.