Справочник MOSFET. SMP730

 

SMP730 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMP730
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SMP730 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  1
 smp730.pdf pdf_icon

SMP730

SMP730 400V N-Channel Power MOSFET Features 6A,400V, RDS(on) =1.0 @VGS=10V Low gate charge ( typical 13 nC) Low Crss ( typical 7pF) 100% avalanche tested Fast switching Improved dv/dt capability Application Electronic Ballast Active power factor correction Switching mode power supply Absolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise not

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.