HCA60R040 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HCA60R040
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 186 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HCA60R040

HCA60R040 Datasheet (PDF)

..1. Size:1113K 1
hca60r040.pdf

8.1. Size:281K 1
hca60r150t.pdf

Jan 2016HCA60R150T600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) XQg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 22 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.15 100% Avalanche TestedQg, Typ 41 nCApplicationPackage & Internal Circuit Switch Mode Power Supply (SMPS)TO-247 Uninterruptib

8.2. Size:406K semihow
hca60r290.pdf

Dec 2020HCA60R290600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 12.9 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.29 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-247 SYMBOL Swit

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Liste

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