HCA60R040 Todos los transistores

 

HCA60R040 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCA60R040

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TO247

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HCA60R040 datasheet

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HCA60R040

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HCA60R040

July 2020 HCA60R070F 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 42 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 70 m 100% Avalanche Tested Fast Recovery Time Qg, Typ 106 nC Application Package & Internal Circuit TO-247 SYMBOL Swit

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HCA60R040

Jan 2016 HCA60R150T 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) XQg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 22 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.15 100% Avalanche Tested Qg, Typ 41 nC Application Package & Internal Circuit Switch Mode Power Supply (SMPS) TO-247 Uninterruptib

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HCA60R040

Dec 2020 HCA60R290 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 12.9 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.29 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit TO-247 SYMBOL Swit

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History: IRF250P224 | KF4N60F | HCD80R1K2 | SWB075R06ET | SUD19P06-60L | IRF7342QPBF | JCS10N60BT

 

 

 

 

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