Справочник MOSFET. HCA60R040

 

HCA60R040 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HCA60R040
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 417 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 68.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 186 nC
   Время нарастания (tr): 28 ns
   Выходная емкость (Cd): 163 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для HCA60R040

 

 

HCA60R040 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1113K  1
hca60r040.pdf

HCA60R040
HCA60R040

 8.1. Size:281K  1
hca60r150t.pdf

HCA60R040
HCA60R040

Jan 2016HCA60R150T600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) XQg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 22 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.15 100% Avalanche TestedQg, Typ 41 nCApplicationPackage & Internal Circuit Switch Mode Power Supply (SMPS)TO-247 Uninterruptib

 8.2. Size:406K  semihow
hca60r290.pdf

HCA60R040
HCA60R040

Dec 2020HCA60R290600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 12.9 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.29 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-247 SYMBOL Swit

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top