MS5N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS5N100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PH
Búsqueda de reemplazo de MS5N100 MOSFET
MS5N100 Datasheet (PDF)
ms5n100 ms5n100s ms5n100ft ms5n100fe ms5n100fd.pdf
MS5N100/S/FT/FE/FDN-channel 1000V 3.5 - 5AGeneral featuresType V R IDSS(@Tjmax) DS(on) DMS5N100 1000 V
Otros transistores... MEE7636-G , MEE7816AS-G , MEE7816S-G , 2SK815 , MDD2601 , NCE1579C , SMP730 , HCA60R040 , IRFZ24N , MS5N100S , MS5N100FT , MS5N100FE , MS5N100FD , SJMN600R70F , HCA60R290 , HCA65R165 , HCA70R180 .
History: IPI70N04S4-06 | SJMN250R80ZF | KMB060N60FA | IRFH5300TRPBF | NCE20P08J | KF17N50N | 2SK1756
History: IPI70N04S4-06 | SJMN250R80ZF | KMB060N60FA | IRFH5300TRPBF | NCE20P08J | KF17N50N | 2SK1756
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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