Справочник MOSFET. MS5N100

 

MS5N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS5N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3PH
 

 Аналог (замена) для MS5N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS5N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3619K  1
 ms5n100 ms5n100s ms5n100ft ms5n100fe ms5n100fd.pdf pdf_icon

MS5N100

MS5N100/S/FT/FE/FDN-channel 1000V 3.5 - 5AGeneral featuresType V R IDSS(@Tjmax) DS(on) DMS5N100 1000 V

Другие MOSFET... MEE7636-G , MEE7816AS-G , MEE7816S-G , 2SK815 , MDD2601 , NCE1579C , SMP730 , HCA60R040 , IRFZ24N , MS5N100S , MS5N100FT , MS5N100FE , MS5N100FD , SJMN600R70F , HCA60R290 , HCA65R165 , HCA70R180 .

History: TPC6003 | MTDN9971Q8 | GT110N06D5 | SI4558DY | KTK5132V | MTDN5820Z6

 

 
Back to Top

 


 
.