MS5N100 - описание и поиск аналогов

 

MS5N100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MS5N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO3PH

Аналог (замена) для MS5N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS5N100 даташит

 ..1. Size:3619K  1
ms5n100 ms5n100s ms5n100ft ms5n100fe ms5n100fd.pdfpdf_icon

MS5N100

MS5N100/S/FT/FE/FD N-channel 1000V 3.5 - 5A General features Type V R I DSS(@Tjmax) DS(on) D MS5N100 1000 V

Другие MOSFET... MEE7636-G , MEE7816AS-G , MEE7816S-G , 2SK815 , MDD2601 , NCE1579C , SMP730 , HCA60R040 , TK10A60D , MS5N100S , MS5N100FT , MS5N100FE , MS5N100FD , SJMN600R70F , HCA60R290 , HCA65R165 , HCA70R180 .

History: SI2333 | 2SK1562 | MMN600DB012B | 2SK2568 | KCY3303S | MS5N100S | MEE7292-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.