HCA65R165 Todos los transistores

 

HCA65R165 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCA65R165

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm

Encapsulados: TO247

 Búsqueda de reemplazo de HCA65R165 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HCA65R165 datasheet

 ..1. Size:375K  semihow
 hca65r165.pdf pdf_icon

HCA65R165

Dec 2019 HCA65R165 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 20.4 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.165 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 50 nC Application Package & Internal Circuit TO-247 SYMBOL Swi

Otros transistores... HCA60R040 , MS5N100 , MS5N100S , MS5N100FT , MS5N100FE , MS5N100FD , SJMN600R70F , HCA60R290 , 10N65 , HCA70R180 , HCA90R300 , HCA90R450 , HCA90R800 , HCD60R260 , HCD60R490 , HCD60R750 , HCD60R900 .

History: STW36NM60N | BM3416E | 4N60KL-TF3T-T | 2SK1297 | 2SK1134 | 2SK1202 | SWB065R68E7T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.