HCA65R165 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCA65R165
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 151 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 50 nC
Tiempo de subida (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 47 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.165 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HCA65R165
HCA65R165 Datasheet (PDF)
hca65r165.pdf
Dec 2019HCA65R165650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 20.4 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.165 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-247 SYMBOL Swi
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