Справочник MOSFET. HCA65R165

 

HCA65R165 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCA65R165
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HCA65R165

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCA65R165 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:375K  semihow
 hca65r165.pdf pdf_icon

HCA65R165

Dec 2019HCA65R165650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 20.4 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.165 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-247 SYMBOL Swi

Другие MOSFET... HCA60R040 , MS5N100 , MS5N100S , MS5N100FT , MS5N100FE , MS5N100FD , SJMN600R70F , HCA60R290 , STP80NF70 , HCA70R180 , HCA90R300 , HCA90R450 , HCA90R800 , HCD60R260 , HCD60R490 , HCD60R750 , HCD60R900 .

History: TSM10NC60CF | KHB7D0N65F1 | NCE55P04S | SI3493DDV | IPW60R060P7 | NCE4435 | MTE55N20J3

 

 
Back to Top

 


 
.