HCA65R165 - описание и поиск аналогов

 

HCA65R165. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HCA65R165

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для HCA65R165

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCA65R165 даташит

 ..1. Size:375K  semihow
 hca65r165.pdf pdf_icon

HCA65R165

Dec 2019 HCA65R165 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 20.4 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.165 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 50 nC Application Package & Internal Circuit TO-247 SYMBOL Swi

Другие MOSFET... HCA60R040 , MS5N100 , MS5N100S , MS5N100FT , MS5N100FE , MS5N100FD , SJMN600R70F , HCA60R290 , 10N65 , HCA70R180 , HCA90R300 , HCA90R450 , HCA90R800 , HCD60R260 , HCD60R490 , HCD60R750 , HCD60R900 .

History: SWF15N50DA | 4N65KL-TF3-T | IRF720SPBF | SGM2310A | MMN400A006U1 | IRF7313PBF-1 | 2SK3111

 

 

 

 

↑ Back to Top
.