HCA70R180 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCA70R180
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Encapsulados: TO247
Búsqueda de reemplazo de HCA70R180 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
HCA70R180 datasheet
hca70r180.pdf
Dec 2019 HCA70R180 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 19.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.18 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 50 nC Application Package & Internal Circuit TO-247 SYMBOL Swit
Otros transistores... MS5N100 , MS5N100S , MS5N100FT , MS5N100FE , MS5N100FD , SJMN600R70F , HCA60R290 , HCA65R165 , 5N60 , HCA90R300 , HCA90R450 , HCA90R800 , HCD60R260 , HCD60R490 , HCD60R750 , HCD60R900 , HCD65R2K2 .
History: 4N65L-TM3-T | 4N60L-TF1-T | IPP60R099P7
History: 4N65L-TM3-T | 4N60L-TF1-T | IPP60R099P7
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324