HCA70R180 - описание и поиск аналогов

 

HCA70R180. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HCA70R180

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для HCA70R180

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCA70R180 даташит

 ..1. Size:375K  semihow
hca70r180.pdfpdf_icon

HCA70R180

Dec 2019 HCA70R180 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 19.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.18 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 50 nC Application Package & Internal Circuit TO-247 SYMBOL Swit

Другие MOSFET... MS5N100 , MS5N100S , MS5N100FT , MS5N100FE , MS5N100FD , SJMN600R70F , HCA60R290 , HCA65R165 , 5N60 , HCA90R300 , HCA90R450 , HCA90R800 , HCD60R260 , HCD60R490 , HCD60R750 , HCD60R900 , HCD65R2K2 .

History: SWD051R08ES | AP9970GW | IXFT50N85XHV

 

 

 

 

↑ Back to Top
.