HCD70R910 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCD70R910
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 11.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.91 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HCD70R910
HCD70R910 Datasheet (PDF)
hcd70r910.pdf
March 2020HCD70R910700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 5.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.91 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Sw
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Liste
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