Справочник MOSFET. HCD70R910

 

HCD70R910 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCD70R910
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.91 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HCD70R910 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  semihow
 hcd70r910.pdf pdf_icon

HCD70R910

March 2020HCD70R910700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 5.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.91 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Sw

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: PJC138K | NCEA65NF036T | SFF20N60N | LSDN65R950HT | BRCS200P03DSC | SSF3637S

 

 
Back to Top

 


 
.