HCD70R910 - описание и поиск аналогов

 

HCD70R910. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HCD70R910

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.91 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для HCD70R910

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCD70R910 даташит

 ..1. Size:384K  semihow
 hcd70r910.pdf pdf_icon

HCD70R910

March 2020 HCD70R910 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 5.2 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.91 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 11.2 nC Application Package & Internal Circuit D-PAK SYMBOL Sw

Другие MOSFET... HCD60R260 , HCD60R490 , HCD60R750 , HCD60R900 , HCD65R2K2 , HCD65R2K7 , HCD65R450 , HCD65R830 , P60NF06 , HCD80R1K2 , HCD80R1K4 , HCD90R1K0 , HCD90R1K6 , HCD90R450 , HCD90R800 , HCF65R320 , HCF65R550 .

History: SUD23N06-31 | RUF025N02

 

 

 

 

↑ Back to Top
.