HCD70R910 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HCD70R910
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.91 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для HCD70R910
HCD70R910 Datasheet (PDF)
hcd70r910.pdf

March 2020HCD70R910700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 5.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.91 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Sw
Другие MOSFET... HCD60R260 , HCD60R490 , HCD60R750 , HCD60R900 , HCD65R2K2 , HCD65R2K7 , HCD65R450 , HCD65R830 , AO3401 , HCD80R1K2 , HCD80R1K4 , HCD90R1K0 , HCD90R1K6 , HCD90R450 , HCD90R800 , HCF65R320 , HCF65R550 .
History: HM4430A | 2SK1549-R | IRFSL7762PBF | GSM6601
History: HM4430A | 2SK1549-R | IRFSL7762PBF | GSM6601



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771