Справочник MOSFET. HCD70R910

 

HCD70R910 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCD70R910
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.91 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для HCD70R910

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCD70R910 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  semihow
 hcd70r910.pdf pdf_icon

HCD70R910

March 2020HCD70R910700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 5.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.91 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Sw

Другие MOSFET... HCD60R260 , HCD60R490 , HCD60R750 , HCD60R900 , HCD65R2K2 , HCD65R2K7 , HCD65R450 , HCD65R830 , AO3401 , HCD80R1K2 , HCD80R1K4 , HCD90R1K0 , HCD90R1K6 , HCD90R450 , HCD90R800 , HCF65R320 , HCF65R550 .

History: CS6N70CRHD | NTMFS6H801N

 

 
Back to Top

 


 
.