HCD90R450 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCD90R450
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 114 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 29 nC
Tiempo de subida (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 22.1 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HCD90R450
HCD90R450 Datasheet (PDF)
hcd90r450.pdf
Apr 2023HCD90R450900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 10.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 29 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Switc
hcd90r1k6.pdf
Apr. 2023HCD90R1K6900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 3.8 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 9.1 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Switc
hcd90r800.pdf
Apr. 2023HCD90R800900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 6.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.8 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 17.4 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Swit
hcd90r1k0.pdf
Apr. 2023HCD90R1K0900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 5.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.0 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 13.7 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Swit
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
