Справочник MOSFET. HCD90R450

 

HCD90R450 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCD90R450
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для HCD90R450

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCD90R450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  semihow
 hcd90r450.pdf pdf_icon

HCD90R450

Apr 2023HCD90R450900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 10.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 29 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Switc

 8.1. Size:594K  semihow
 hcd90r1k6.pdf pdf_icon

HCD90R450

Apr. 2023HCD90R1K6900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 3.8 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 9.1 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Switc

 8.2. Size:595K  semihow
 hcd90r800.pdf pdf_icon

HCD90R450

Apr. 2023HCD90R800900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 6.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.8 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 17.4 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Swit

 8.3. Size:595K  semihow
 hcd90r1k0.pdf pdf_icon

HCD90R450

Apr. 2023HCD90R1K0900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 5.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.0 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 13.7 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Swit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HCD65R2K7 , HCD65R450 , HCD65R830 , HCD70R910 , HCD80R1K2 , HCD80R1K4 , HCD90R1K0 , HCD90R1K6 , NCEP15T14 , HCD90R800 , HCF65R320 , HCF65R550 , HCF70R360 , HCF70R600 , HCF70R910 , HCFL60R115 , HCFL60R150 .

 

 
Back to Top

 


 
.