HCF65R320 Todos los transistores

 

HCF65R320 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCF65R320
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: 8DFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de HCF65R320 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HCF65R320 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  semihow
 hcf65r320.pdf pdf_icon

HCF65R320

April 2020HCF65R320650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 11.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.35 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal Circuit8DFN 5x6 SYMBOL

 8.1. Size:454K  semihow
 hcf65r550.pdf pdf_icon

HCF65R320

April 2020HCF65R550650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 6.9 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 16 nCApplicationPackage & Internal Circuit8DFN 5x6 SYMBOL Sw

Otros transistores... HCD65R830 , HCD70R910 , HCD80R1K2 , HCD80R1K4 , HCD90R1K0 , HCD90R1K6 , HCD90R450 , HCD90R800 , RU7088R , HCF65R550 , HCF70R360 , HCF70R600 , HCF70R910 , HCFL60R115 , HCFL60R150 , HCFL60R190 , HCFL60R290 .

 

 
Back to Top

 


 
.