HCF65R320 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCF65R320
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
Encapsulados: 8DFN5X6
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HCF65R320 datasheet
hcf65r320.pdf
April 2020 HCF65R320 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 11.2 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.35 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit 8DFN 5x6 SYMBOL
hcf65r550.pdf
April 2020 HCF65R550 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 6.9 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 16 nC Application Package & Internal Circuit 8DFN 5x6 SYMBOL Sw
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History: SWD6N80DE | SWD2N60DC
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