HCF65R320 - описание и поиск аналогов

 

HCF65R320. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HCF65R320

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: 8DFN5X6

Аналог (замена) для HCF65R320

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCF65R320 даташит

 ..1. Size:435K  semihow
 hcf65r320.pdf pdf_icon

HCF65R320

April 2020 HCF65R320 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 11.2 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.35 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit 8DFN 5x6 SYMBOL

 8.1. Size:454K  semihow
 hcf65r550.pdf pdf_icon

HCF65R320

April 2020 HCF65R550 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 6.9 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 16 nC Application Package & Internal Circuit 8DFN 5x6 SYMBOL Sw

Другие MOSFET... HCD65R830 , HCD70R910 , HCD80R1K2 , HCD80R1K4 , HCD90R1K0 , HCD90R1K6 , HCD90R450 , HCD90R800 , IRFZ48N , HCF65R550 , HCF70R360 , HCF70R600 , HCF70R910 , HCFL60R115 , HCFL60R150 , HCFL60R190 , HCFL60R290 .

History: 2SK3264-01MR | 2SK1212 | RUE002N02 | SWD106R95VS | HY3410B | HY3410PM | RF4E110BN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.