Справочник MOSFET. HCF65R320

 

HCF65R320 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCF65R320
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: 8DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HCF65R320 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  semihow
 hcf65r320.pdf pdf_icon

HCF65R320

April 2020HCF65R320650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 11.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.35 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal Circuit8DFN 5x6 SYMBOL

 8.1. Size:454K  semihow
 hcf65r550.pdf pdf_icon

HCF65R320

April 2020HCF65R550650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 6.9 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 16 nCApplicationPackage & Internal Circuit8DFN 5x6 SYMBOL Sw

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZXMP6A17N8TC | 2SJ104 | IPD50R280CE | ZVP3306A | TK15A60U | NDT6N70 | AP50T10GS

 

 
Back to Top

 


 
.