Справочник MOSFET. HCF65R320

 

HCF65R320 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCF65R320
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: 8DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HCF65R320

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCF65R320 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  semihow
 hcf65r320.pdf pdf_icon

HCF65R320

April 2020HCF65R320650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 11.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.35 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal Circuit8DFN 5x6 SYMBOL

 8.1. Size:454K  semihow
 hcf65r550.pdf pdf_icon

HCF65R320

April 2020HCF65R550650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 6.9 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 16 nCApplicationPackage & Internal Circuit8DFN 5x6 SYMBOL Sw

Другие MOSFET... HCD65R830 , HCD70R910 , HCD80R1K2 , HCD80R1K4 , HCD90R1K0 , HCD90R1K6 , HCD90R450 , HCD90R800 , RU7088R , HCF65R550 , HCF70R360 , HCF70R600 , HCF70R910 , HCFL60R115 , HCFL60R150 , HCFL60R190 , HCFL60R290 .

History: APTM50AM24SCG | BUZ310

 

 
Back to Top

 


 
.