HCF70R600 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCF70R600
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
Encapsulados: 8DFN5X6
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HCF70R600 datasheet
hcf70r600.pdf
April 2020 HCF70R600 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 6.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.65 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 16 nC Application Package & Internal Circuit 8DFN 5x6 SYMBOL S
hcf70r360.pdf
April 2020 HCF70R360 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 10.6 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.39 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit 8DFN 5x6 SYMBOL
hcf70r910.pdf
April 2020 HCF70R910 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 4.9 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.96 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 11.2 nC Application Package & Internal Circuit 8DFN 5x6 SYMBOL
Otros transistores... HCD80R1K4 , HCD90R1K0 , HCD90R1K6 , HCD90R450 , HCD90R800 , HCF65R320 , HCF65R550 , HCF70R360 , IRLB3034 , HCF70R910 , HCFL60R115 , HCFL60R150 , HCFL60R190 , HCFL60R290 , HCFL60R350 , HCFL65R130 , HCFL65R210 .
History: 2SK1347
History: 2SK1347
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