HCF70R600 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HCF70R600
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
Тип корпуса: 8DFN5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HCF70R600 Datasheet (PDF)
hcf70r600.pdf

April 2020HCF70R600700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 6.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.65 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 16 nCApplicationPackage & Internal Circuit8DFN 5x6 SYMBOL S
hcf70r360.pdf

April 2020HCF70R360700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 10.6 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.39 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal Circuit8DFN 5x6 SYMBOL
hcf70r910.pdf

April 2020HCF70R910700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 4.9 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.96 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal Circuit8DFN 5x6 SYMBOL
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: TK10E60W | BUK455-100B | NCEAP016N10LL | FDG6320C | SI7413DN | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2
History: TK10E60W | BUK455-100B | NCEAP016N10LL | FDG6320C | SI7413DN | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357