HCF70R600. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HCF70R600
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
Тип корпуса: 8DFN5X6
Аналог (замена) для HCF70R600
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HCF70R600 даташит
hcf70r600.pdf
April 2020 HCF70R600 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 6.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.65 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 16 nC Application Package & Internal Circuit 8DFN 5x6 SYMBOL S
hcf70r360.pdf
April 2020 HCF70R360 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 10.6 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.39 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit 8DFN 5x6 SYMBOL
hcf70r910.pdf
April 2020 HCF70R910 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 4.9 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.96 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 11.2 nC Application Package & Internal Circuit 8DFN 5x6 SYMBOL
Другие MOSFET... HCD80R1K4 , HCD90R1K0 , HCD90R1K6 , HCD90R450 , HCD90R800 , HCF65R320 , HCF65R550 , HCF70R360 , IRLB3034 , HCF70R910 , HCFL60R115 , HCFL60R150 , HCFL60R190 , HCFL60R290 , HCFL60R350 , HCFL65R130 , HCFL65R210 .
History: IXFP80N25X3 | 4N65L-T2Q-T | RUE002N02 | SWD4N70L | HY3410PM | RF4E110BN | HY3410B
History: IXFP80N25X3 | 4N65L-T2Q-T | RUE002N02 | SWD4N70L | HY3410PM | RF4E110BN | HY3410B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357



