HCFL60R290 Todos los transistores

 

HCFL60R290 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCFL60R290

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm

Encapsulados: DFN8X8

 Búsqueda de reemplazo de HCFL60R290 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HCFL60R290 datasheet

 ..1. Size:413K  semihow
 hcfl60r290.pdf pdf_icon

HCFL60R290

May 2020 HCFL60R290 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 13.1 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.32 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit DFN8x8 SYMBOL Swi

 7.1. Size:433K  semihow
 hcfl60r150.pdf pdf_icon

HCFL60R290

May 2020 HCFL60R150 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 21.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.165 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 50 nC Application Package & Internal Circuit DFN8x8 SYMBOL Sw

 7.2. Size:434K  semihow
 hcfl60r115.pdf pdf_icon

HCFL60R290

May 2020 HCFL60R115 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 26.9 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 127 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 65 nC Application Package & Internal Circuit DFN8x8 SYMBOL Swi

 7.3. Size:433K  semihow
 hcfl60r350.pdf pdf_icon

HCFL60R290

May 2020 HCFL60R350 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 11.1 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.385 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 22.6 nC Application Package & Internal Circuit DFN8x8 SYMBOL

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... HCF65R320 , HCF65R550 , HCF70R360 , HCF70R600 , HCF70R910 , HCFL60R115 , HCFL60R150 , HCFL60R190 , EMB04N03H , HCFL60R350 , HCFL65R130 , HCFL65R210 , HCFL65R380 , HCFL65R550 , HCFL70R180 , HCFL70R360 , HCFL80R250 .

History: HCD65R450

 

 

 

 

↑ Back to Top
.