Справочник MOSFET. HCFL60R290

 

HCFL60R290 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCFL60R290
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HCFL60R290 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  semihow
 hcfl60r290.pdf pdf_icon

HCFL60R290

May 2020HCFL60R290600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 13.1 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.32 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swi

 7.1. Size:433K  semihow
 hcfl60r150.pdf pdf_icon

HCFL60R290

May 2020HCFL60R150600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 21.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.165 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Sw

 7.2. Size:434K  semihow
 hcfl60r115.pdf pdf_icon

HCFL60R290

May 2020HCFL60R115600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 26.9 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 127 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 65 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swi

 7.3. Size:433K  semihow
 hcfl60r350.pdf pdf_icon

HCFL60R290

May 2020HCFL60R350600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 11.1 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.385 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 22.6 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTB6410ANG | AFN4924W | NDT6N70 | ZXMN6A09K | TSM25N03CP | IPD50R280CE | KHB7D0N80P1

 

 
Back to Top

 


 
.