HCFL80R250 Todos los transistores

 

HCFL80R250 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCFL80R250
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.275 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8X8
     - Selección de transistores por parámetros

 

HCFL80R250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  semihow
 hcfl80r250.pdf pdf_icon

HCFL80R250

June 2021HCFL80R250_Green800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 18 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.275 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 43 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL

 7.1. Size:484K  semihow
 hcfl80r380.pdf pdf_icon

HCFL80R250

June 2021HCFL80R380800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 13 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.42 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 29 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swit

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History: SMOS44N80 | AM2336N-T1 | G11 | CEF05N6

 

 
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