HCFL80R250 - описание и поиск аналогов

 

HCFL80R250. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HCFL80R250

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.275 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

Аналог (замена) для HCFL80R250

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCFL80R250 даташит

 ..1. Size:485K  semihow
 hcfl80r250.pdf pdf_icon

HCFL80R250

 7.1. Size:484K  semihow
 hcfl80r380.pdf pdf_icon

HCFL80R250

June 2021 HCFL80R380 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching loss ID 13 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.42 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 29 nC Application Package & Internal Circuit DFN8x8 SYMBOL Swit

Другие MOSFET... HCFL60R290 , HCFL60R350 , HCFL65R130 , HCFL65R210 , HCFL65R380 , HCFL65R550 , HCFL70R180 , HCFL70R360 , IRF730 , HCFL80R380 , HCI60R150 , HCI70R230 , HCI70R360 , HCI70R600 , HCP60R099 , HCP65R110 , HCP65R130 .

History: JCS10N60ST | 4N65L-TF1-T | HCFL65R210 | AOV11S60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.