Справочник MOSFET. HCFL80R250

 

HCFL80R250 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HCFL80R250
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.275 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8

 Аналог (замена) для HCFL80R250

 

 

HCFL80R250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  semihow
 hcfl80r250.pdf

HCFL80R250 HCFL80R250

June 2021HCFL80R250_Green800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 18 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.275 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 43 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL

 7.1. Size:484K  semihow
 hcfl80r380.pdf

HCFL80R250 HCFL80R250

June 2021HCFL80R380800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 13 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.42 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 29 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swit

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top