HCI60R150 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCI60R150
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Encapsulados: TO262
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HCI60R150 datasheet
hci60r150.pdf
Dec 2019 HCI60R150 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 21.4 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.15 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 50 nC Application Package & Internal Circuit TO-262 SYMBOL Swit
Otros transistores... HCFL65R130 , HCFL65R210 , HCFL65R380 , HCFL65R550 , HCFL70R180 , HCFL70R360 , HCFL80R250 , HCFL80R380 , IRF3205 , HCI70R230 , HCI70R360 , HCI70R600 , HCP60R099 , HCP65R110 , HCP65R130 , HCP65R165 , HCP65R210 .
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