HCI60R150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HCI60R150
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 151 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 21.4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 50 nC
   Tiempo de subida (tr): 23 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

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HCI60R150 Datasheet (PDF)

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hci60r150.pdf

Dec 2019HCI60R150600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 21.4 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.15 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-262 SYMBOL Swit

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History: CS6N70CK

Liste

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