HCI60R150 - описание и поиск аналогов

 

HCI60R150. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HCI60R150

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для HCI60R150

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCI60R150 даташит

 ..1. Size:384K  semihow
 hci60r150.pdf pdf_icon

HCI60R150

Dec 2019 HCI60R150 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 21.4 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.15 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 50 nC Application Package & Internal Circuit TO-262 SYMBOL Swit

Другие MOSFET... HCFL65R130 , HCFL65R210 , HCFL65R380 , HCFL65R550 , HCFL70R180 , HCFL70R360 , HCFL80R250 , HCFL80R380 , IRF3205 , HCI70R230 , HCI70R360 , HCI70R600 , HCP60R099 , HCP65R110 , HCP65R130 , HCP65R165 , HCP65R210 .

History: HM13N50 | RV1C002UN | AOWF9N70 | AOWF11C60 | IRFBC20PBF | DH009N02F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.