Справочник MOSFET. HCI60R150

 

HCI60R150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCI60R150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для HCI60R150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCI60R150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  semihow
 hci60r150.pdf pdf_icon

HCI60R150

Dec 2019HCI60R150600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 21.4 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.15 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-262 SYMBOL Swit

Другие MOSFET... HCFL65R130 , HCFL65R210 , HCFL65R380 , HCFL65R550 , HCFL70R180 , HCFL70R360 , HCFL80R250 , HCFL80R380 , IRF3205 , HCI70R230 , HCI70R360 , HCI70R600 , HCP60R099 , HCP65R110 , HCP65R130 , HCP65R165 , HCP65R210 .

 

 
Back to Top

 


 
.