HCS70R710ST Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCS70R710ST  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.71 Ohm

Encapsulados: TO220FT

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HCS70R710ST datasheet

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HCS70R710ST

Nov 2019 HCS70R710ST 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 6.4 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.71 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 14 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FT SYMBOL S

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HCS70R710ST

Sep 2020 HCS70R600ST 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 7.3 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 16 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FT SYMBOL Sw

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HCS70R710ST

Dec 2019 HCS70R180S 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 19.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.18 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 50 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FS SYMBOL S

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