Справочник MOSFET. HCS70R710ST

 

HCS70R710ST Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCS70R710ST
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.71 Ohm
   Тип корпуса: TO220FT
 

 Аналог (замена) для HCS70R710ST

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCS70R710ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  semihow
 hcs70r710st.pdf pdf_icon

HCS70R710ST

Nov 2019HCS70R710ST700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 6.4 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.71 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 14 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL S

 8.1. Size:421K  semihow
 hcs70r910st.pdf pdf_icon

HCS70R710ST

March 2020HCS70R910ST700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 5.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.91 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL

 8.2. Size:423K  semihow
 hcs70r600st.pdf pdf_icon

HCS70R710ST

Sep 2020HCS70R600ST700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 7.3 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 16 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL Sw

 8.3. Size:370K  semihow
 hcs70r180s.pdf pdf_icon

HCS70R710ST

Dec 2019HCS70R180S700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 19.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.18 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FS SYMBOL S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HCS65R165ST , HCS65R210ST , HCS65R450S , HCS65R450ST , HCS65R830ST , HCS70R180S , HCS70R230S , HCS70R600ST , K3569 , HCS70R910ST , HCS80R1K2S , HCS80R1K2ST , HCS80R1K4S , HCS80R1K4ST , HCS90R1K0S , HCS90R1K6S , HCS90R300S .

History: FDS4080N7 | APT77N60JC3 | IRFP450B | SSW90R160SFD | STD4NK50Z-1 | MSJU11N65 | IRFS244B

 

 
Back to Top

 


 
.