HCT80R850 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCT80R850  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: SOT223

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HCT80R850 datasheet

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HCT80R850

August 2020 HCT80R850 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching loss ID 6.6 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.85 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 13.7 nC Application Package & Internal Circuit Switch Mode Pow

 9.1. Size:232K  optek
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HCT80R850

Product Bulletin HCT802 September 1996 Dual Enhancement Mode MOSFET Types HCT802, HCT802TX, HCT802TXV Features Absolute Maximum Ratings 6 pad surface mount package Drain-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90 V VDS = 90V Gate-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Otros transistores... HCS80R1K4ST, HCS90R1K0S, HCS90R1K6S, HCS90R300S, HCS90R450S, HCS90R800S, HCT70R1K1, HCT70R910, SKD502T, HCT90R1K4, HCU60R260, HCU60R580, HCU65R1K0, HCU65R450, HCU70R360, HCU70R600, HCU70R710