HCT80R850 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HCT80R850
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 6.9 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6.6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 13.7 nC
   Tiempo de subida (tr): 18 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 14.6 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

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HCT80R850 Datasheet (PDF)

..1. Size:408K semihow
hct80r850.pdf

August 2020HCT80R850 800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 6.6 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.85 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 13.7 nCApplication Package & Internal Circuit Switch Mode Pow

9.1. Size:232K optek
hct802.pdf

Product Bulletin HCT802September 1996Dual Enhancement Mode MOSFETTypes HCT802, HCT802TX, HCT802TXVFeatures Absolute Maximum Ratings6 pad surface mount package Drain-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90 VVDS = 90VGate-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: