HCT80R850 Todos los transistores

 

HCT80R850 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCT80R850
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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HCT80R850 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  semihow
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HCT80R850

August 2020HCT80R850 800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 6.6 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.85 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 13.7 nCApplication Package & Internal Circuit Switch Mode Pow

 9.1. Size:232K  optek
 hct802.pdf pdf_icon

HCT80R850

Product Bulletin HCT802September 1996Dual Enhancement Mode MOSFETTypes HCT802, HCT802TX, HCT802TXVFeatures Absolute Maximum Ratings6 pad surface mount package Drain-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90 VVDS = 90VGate-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Otros transistores... HCS80R1K4ST , HCS90R1K0S , HCS90R1K6S , HCS90R300S , HCS90R450S , HCS90R800S , HCT70R1K1 , HCT70R910 , IRF9540N , HCT90R1K4 , HCU60R260 , HCU60R580 , HCU65R1K0 , HCU65R450 , HCU70R360 , HCU70R600 , HCU70R710 .

History: BS108G | IRFN214BTAFP001

 

 
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