HCT80R850 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HCT80R850
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HCT80R850

HCT80R850 Datasheet (PDF)

..1. Size:408K semihow
hct80r850.pdf

August 2020HCT80R850 800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 6.6 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.85 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 13.7 nCApplication Package & Internal Circuit Switch Mode Pow

9.1. Size:232K optek
hct802.pdf

Product Bulletin HCT802September 1996Dual Enhancement Mode MOSFETTypes HCT802, HCT802TX, HCT802TXVFeatures Absolute Maximum Ratings6 pad surface mount package Drain-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90 VVDS = 90VGate-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: