Справочник MOSFET. HCT80R850

 

HCT80R850 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HCT80R850
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 6.9 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 13.7 nC
   Время нарастания (tr): 18 ns
   Выходная емкость (Cd): 14.6 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для HCT80R850

 

 

HCT80R850 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  semihow
 hct80r850.pdf

HCT80R850 HCT80R850

August 2020HCT80R850 800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 6.6 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.85 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 13.7 nCApplication Package & Internal Circuit Switch Mode Pow

 9.1. Size:232K  optek
 hct802.pdf

HCT80R850 HCT80R850

Product Bulletin HCT802September 1996Dual Enhancement Mode MOSFETTypes HCT802, HCT802TX, HCT802TXVFeatures Absolute Maximum Ratings6 pad surface mount package Drain-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90 VVDS = 90VGate-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top