HCT80R850 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HCT80R850  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для HCT80R850

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCT80R850 даташит

 ..1. Size:408K  semihow
 hct80r850.pdf pdf_icon

HCT80R850

August 2020 HCT80R850 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching loss ID 6.6 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.85 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 13.7 nC Application Package & Internal Circuit Switch Mode Pow

 9.1. Size:232K  optek
 hct802.pdf pdf_icon

HCT80R850

Product Bulletin HCT802 September 1996 Dual Enhancement Mode MOSFET Types HCT802, HCT802TX, HCT802TXV Features Absolute Maximum Ratings 6 pad surface mount package Drain-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90 V VDS = 90V Gate-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Другие IGBT... HCS80R1K4ST, HCS90R1K0S, HCS90R1K6S, HCS90R300S, HCS90R450S, HCS90R800S, HCT70R1K1, HCT70R910, SKD502T, HCT90R1K4, HCU60R260, HCU60R580, HCU65R1K0, HCU65R450, HCU70R360, HCU70R600, HCU70R710