Справочник MOSFET. HCT80R850

 

HCT80R850 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCT80R850
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для HCT80R850

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCT80R850 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  semihow
 hct80r850.pdf pdf_icon

HCT80R850

August 2020HCT80R850 800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 6.6 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.85 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 13.7 nCApplication Package & Internal Circuit Switch Mode Pow

 9.1. Size:232K  optek
 hct802.pdf pdf_icon

HCT80R850

Product Bulletin HCT802September 1996Dual Enhancement Mode MOSFETTypes HCT802, HCT802TX, HCT802TXVFeatures Absolute Maximum Ratings6 pad surface mount package Drain-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90 VVDS = 90VGate-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.