HCT90R1K4 Todos los transistores

 

HCT90R1K4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCT90R1K4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
     - Selección de transistores por parámetros

 

HCT90R1K4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  semihow
 hct90r1k4.pdf pdf_icon

HCT90R1K4

Dec 2019HCT90R1K4 900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 4.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.4 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 10.3 nCApplication Package & Internal Circuit Switch Mode Power S

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History: FCH20N60 | NCE65N260F | IPB60R190C6 | DMN6075S | VBZE50P03

 

 
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