HCT90R1K4 Todos los transistores

 

HCT90R1K4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCT90R1K4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

 Búsqueda de reemplazo de HCT90R1K4 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HCT90R1K4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  semihow
 hct90r1k4.pdf pdf_icon

HCT90R1K4

Dec 2019HCT90R1K4 900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 4.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.4 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 10.3 nCApplication Package & Internal Circuit Switch Mode Power S

Otros transistores... HCS90R1K0S , HCS90R1K6S , HCS90R300S , HCS90R450S , HCS90R800S , HCT70R1K1 , HCT70R910 , HCT80R850 , IRFB3607 , HCU60R260 , HCU60R580 , HCU65R1K0 , HCU65R450 , HCU70R360 , HCU70R600 , HCU70R710 , HCU70R910 .

History: RFD8P06LE | SMNY2Z30 | VBA1158N | HU50N06D | TMP11N50SG | BLM3407 | IRFF9232

 

 
Back to Top

 


 
.