HCT90R1K4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HCT90R1K4  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для HCT90R1K4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCT90R1K4 даташит

 ..1. Size:361K  semihow
 hct90r1k4.pdf pdf_icon

HCT90R1K4

Dec 2019 HCT90R1K4 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 4.2 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.4 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 10.3 nC Application Package & Internal Circuit Switch Mode Power S

Другие IGBT... HCS90R1K0S, HCS90R1K6S, HCS90R300S, HCS90R450S, HCS90R800S, HCT70R1K1, HCT70R910, HCT80R850, K4145, HCU60R260, HCU60R580, HCU65R1K0, HCU65R450, HCU70R360, HCU70R600, HCU70R710, HCU70R910