Справочник MOSFET. HCT90R1K4

 

HCT90R1K4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HCT90R1K4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для HCT90R1K4

 

 

HCT90R1K4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  semihow
 hct90r1k4.pdf

HCT90R1K4 HCT90R1K4

Dec 2019HCT90R1K4 900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 4.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.4 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 10.3 nCApplication Package & Internal Circuit Switch Mode Power S

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top