HCU60R580 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCU60R580  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm

Encapsulados: IPAK

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HCU60R580 datasheet

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HCU60R580

March 2021 HCU60R580 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 7.0 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.58 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 14 nC Application Package & Internal Circuit I-PAK SYMBOL Swit

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HCU60R580

Sep 2020 HCU60R260 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 14.4 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.26 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 31 nC Application Package & Internal Circuit I-PAK SYMBOL Switc

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