HCU60R580 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HCU60R580  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для HCU60R580

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCU60R580 даташит

 ..1. Size:411K  semihow
 hcu60r580.pdf pdf_icon

HCU60R580

March 2021 HCU60R580 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 7.0 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.58 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 14 nC Application Package & Internal Circuit I-PAK SYMBOL Swit

 8.1. Size:413K  semihow
 hcu60r260.pdf pdf_icon

HCU60R580

Sep 2020 HCU60R260 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 14.4 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.26 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 31 nC Application Package & Internal Circuit I-PAK SYMBOL Switc

Другие IGBT... HCS90R300S, HCS90R450S, HCS90R800S, HCT70R1K1, HCT70R910, HCT80R850, HCT90R1K4, HCU60R260, AON7410, HCU65R1K0, HCU65R450, HCU70R360, HCU70R600, HCU70R710, HCU70R910, HCU80R1K2, HCU80R1K4