HCU90R1K4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCU90R1K4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 54 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 10.3 nC
Tiempo de subida (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 13 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HCU90R1K4
HCU90R1K4 Datasheet (PDF)
hcu90r1k4.pdf
Nov 2021HCU90R1K4900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 4.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.4 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 10.3 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Switc
hcu90r1k0.pdf
Apr. 2023HCU90R1K0900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 5.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.0 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 13.7 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Swit
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