HCU90R1K4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCU90R1K4  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: IPAK

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HCU90R1K4 datasheet

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HCU90R1K4

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HCU90R1K4

Apr. 2023 HCU90R1K0 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 5.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.0 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 13.7 nC Application Package & Internal Circuit I-PAK SYMBOL Swit

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