Справочник MOSFET. HCU90R1K4

 

HCU90R1K4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCU90R1K4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для HCU90R1K4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCU90R1K4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:410K  semihow
 hcu90r1k4.pdf pdf_icon

HCU90R1K4

Nov 2021HCU90R1K4900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 4.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.4 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 10.3 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Switc

 6.1. Size:442K  semihow
 hcu90r1k0.pdf pdf_icon

HCU90R1K4

Apr. 2023HCU90R1K0900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 5.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.0 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 13.7 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Swit

Другие MOSFET... HCU65R450 , HCU70R360 , HCU70R600 , HCU70R710 , HCU70R910 , HCU80R1K2 , HCU80R1K4 , HCU90R1K0 , 20N50 , HCW60R150 , HCW60R190 , HCW60R290 , HCW65R210 , HCW65R320 , HFA20N50U , HFA24N50G , HFB1N60F .

History: BUZ11A | FDB8453LZ

 

 
Back to Top

 


 
.