HCW60R190 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCW60R190  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO263

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HCW60R190 datasheet

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HCW60R190

Dec 2019 HCW60R190 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 17.6 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.19 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 40 nC Application Package & Internal Circuit TO-263 SYMBOL Swit

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HCW60R190

Dec 2019 HCW60R150 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 21.4 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.15 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 50 nC Application Package & Internal Circuit TO-263 SYMBOL Swit

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HCW60R190

Dec 2019 HCW60R290 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 12.9 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.29 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit TO-263 SYMBOL Swit

Otros transistores... HCU70R600, HCU70R710, HCU70R910, HCU80R1K2, HCU80R1K4, HCU90R1K0, HCU90R1K4, HCW60R150, TK10A60D, HCW60R290, HCW65R210, HCW65R320, HFA20N50U, HFA24N50G, HFB1N60F, HFC2N60U, HFD1N60F