Справочник MOSFET. HCW60R190

 

HCW60R190 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCW60R190
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HCW60R190

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCW60R190 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:387K  semihow
hcw60r190.pdfpdf_icon

HCW60R190

Dec 2019HCW60R190600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 17.6 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.19 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 40 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-263 SYMBOL Swit

 7.1. Size:388K  semihow
hcw60r150.pdfpdf_icon

HCW60R190

Dec 2019HCW60R150600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 21.4 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.15 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-263 SYMBOL Swit

 8.1. Size:372K  semihow
hcw60r290.pdfpdf_icon

HCW60R190

Dec 2019HCW60R290600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 12.9 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.29 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-263 SYMBOL Swit

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FDY101PZ

 

 
Back to Top

 


 
.