HCW65R210 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCW65R210  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de HCW65R210 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HCW65R210 datasheet

 ..1. Size:646K  semihow
 hcw65r210.pdf pdf_icon

HCW65R210

Nov 2020 HCW65R210 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 16.8 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.21 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 40 nC Application Package & Internal Circuit TO-263 SYMBOL Swit

 8.1. Size:626K  semihow
 hcw65r320.pdf pdf_icon

HCW65R210

Nov 2020 HCW65R320 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 12.3 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.32 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit TO-263 SYMBOL Swit

Otros transistores... HCU70R910, HCU80R1K2, HCU80R1K4, HCU90R1K0, HCU90R1K4, HCW60R150, HCW60R190, HCW60R290, BS170, HCW65R320, HFA20N50U, HFA24N50G, HFB1N60F, HFC2N60U, HFD1N60F, HFD1N60SA, HFD2N60F