Справочник MOSFET. HCW65R210

 

HCW65R210 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCW65R210
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HCW65R210

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCW65R210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:646K  semihow
 hcw65r210.pdf pdf_icon

HCW65R210

Nov 2020HCW65R210650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 16.8 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.21 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 40 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-263 SYMBOL Swit

 8.1. Size:626K  semihow
 hcw65r320.pdf pdf_icon

HCW65R210

Nov 2020HCW65R320650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 12.3 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.32 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-263 SYMBOL Swit

Другие MOSFET... HCU70R910 , HCU80R1K2 , HCU80R1K4 , HCU90R1K0 , HCU90R1K4 , HCW60R150 , HCW60R190 , HCW60R290 , 18N50 , HCW65R320 , HFA20N50U , HFA24N50G , HFB1N60F , HFC2N60U , HFD1N60F , HFD1N60SA , HFD2N60F .

History: 3SK143Q

 

 
Back to Top

 


 
.