HCW65R210 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HCW65R210  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HCW65R210

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCW65R210 даташит

 ..1. Size:646K  semihow
 hcw65r210.pdf pdf_icon

HCW65R210

Nov 2020 HCW65R210 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 16.8 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.21 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 40 nC Application Package & Internal Circuit TO-263 SYMBOL Swit

 8.1. Size:626K  semihow
 hcw65r320.pdf pdf_icon

HCW65R210

Nov 2020 HCW65R320 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 12.3 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.32 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit TO-263 SYMBOL Swit

Другие IGBT... HCU70R910, HCU80R1K2, HCU80R1K4, HCU90R1K0, HCU90R1K4, HCW60R150, HCW60R190, HCW60R290, BS170, HCW65R320, HFA20N50U, HFA24N50G, HFB1N60F, HFC2N60U, HFD1N60F, HFD1N60SA, HFD2N60F