HFH9N90A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFH9N90A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 130 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 52 nC
Tiempo de subida (tr): 120 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 175 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFH9N90A
HFH9N90A Datasheet (PDF)
hfh9n90a.pdf
Jul 2023BVDSS = 900 VRDS(on) Typ = 1.4 HFH9N90AID = 9.0 A900V N-Channel MOSFETTO-3PFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 52 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area
hfh9n90.pdf
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH9N90 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance
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