HFH9N90A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFH9N90A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для HFH9N90A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFH9N90A даташит

 ..1. Size:868K  semihow
 hfh9n90a.pdf pdf_icon

HFH9N90A

 7.1. Size:681K  shantou-huashan
 hfh9n90.pdf pdf_icon

HFH9N90A

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH9N90 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance

Другие IGBT... HFA24N50G, HFB1N60F, HFC2N60U, HFD1N60F, HFD1N60SA, HFD2N60F, HFD5N60F, HFD5N65SA, 20N50, HFI50N06A, HFI5N50S, HFI5N60S, HFP2N60F, HFP4N60F, HFP50N06A, HFP5N60F, HFP730F