HFI5N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFI5N60S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 10.5 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFI5N60S
HFI5N60S Datasheet (PDF)
hfw5n60s hfi5n60s.pdf
Sep 2009BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFW5N60S / HFI5N60SID = 4.5 A600V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New DesignHFW5N60S HFI5N60S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Extended Saf
hfw5n50s hfi5n50s.pdf
June 2009BVDSS = 500 VRDS(on) typ = 1.2 HFW5N50S / HFI5N50SID = 5.0 A500V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New DesignHFW5N50S HFI5N50S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 15.5 nC (Typ.) Extended Saf
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