HFI5N60S Todos los transistores

 

HFI5N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFI5N60S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK
 

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HFI5N60S Datasheet (PDF)

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HFI5N60S

Sep 2009BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFW5N60S / HFI5N60SID = 4.5 A600V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New DesignHFW5N60S HFI5N60S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Extended Saf

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HFI5N60S

June 2009BVDSS = 500 VRDS(on) typ = 1.2 HFW5N50S / HFI5N50SID = 5.0 A500V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New DesignHFW5N50S HFI5N50S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 15.5 nC (Typ.) Extended Saf

Otros transistores... HFD1N60F , HFD1N60SA , HFD2N60F , HFD5N60F , HFD5N65SA , HFH9N90A , HFI50N06A , HFI5N50S , IRF2807 , HFP2N60F , HFP4N60F , HFP50N06A , HFP5N60F , HFP730F , HFP830F , HFS10N65JS , HFS10N80A .

History: APT1004R2AN

 

 
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