HFI5N60S - аналоги и даташиты транзистора

 

HFI5N60S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HFI5N60S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для HFI5N60S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFI5N60S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  semihow
 hfw5n60s hfi5n60s.pdf pdf_icon

HFI5N60S

Sep 2009BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFW5N60S / HFI5N60SID = 4.5 A600V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New DesignHFW5N60S HFI5N60S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Extended Saf

 9.1. Size:204K  semihow
 hfw5n50s hfi5n50s.pdf pdf_icon

HFI5N60S

June 2009BVDSS = 500 VRDS(on) typ = 1.2 HFW5N50S / HFI5N50SID = 5.0 A500V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New DesignHFW5N50S HFI5N50S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 15.5 nC (Typ.) Extended Saf

Другие MOSFET... HFD1N60F , HFD1N60SA , HFD2N60F , HFD5N60F , HFD5N65SA , HFH9N90A , HFI50N06A , HFI5N50S , IRF2807 , HFP2N60F , HFP4N60F , HFP50N06A , HFP5N60F , HFP730F , HFP830F , HFS10N65JS , HFS10N80A .

History: STH130N10F3-2

 

 
Back to Top

 


 
.