HFI5N60S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFI5N60S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для HFI5N60S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFI5N60S даташит

 ..1. Size:175K  semihow
 hfw5n60s hfi5n60s.pdf pdf_icon

HFI5N60S

Sep 2009 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFW5N60S / HFI5N60S ID = 4.5 A 600V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK FEATURES Originative New Design HFW5N60S HFI5N60S Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 10.5 nC (Typ.) Extended Saf

 9.1. Size:204K  semihow
 hfw5n50s hfi5n50s.pdf pdf_icon

HFI5N60S

June 2009 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 1.2 HFW5N50S / HFI5N50S ID = 5.0 A 500V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK FEATURES Originative New Design HFW5N50S HFI5N50S Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 15.5 nC (Typ.) Extended Saf

Другие IGBT... HFD1N60F, HFD1N60SA, HFD2N60F, HFD5N60F, HFD5N65SA, HFH9N90A, HFI50N06A, HFI5N50S, STF13NM60N, HFP2N60F, HFP4N60F, HFP50N06A, HFP5N60F, HFP730F, HFP830F, HFS10N65JS, HFS10N80A