HFP730F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HFP730F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 76 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 400 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 13 nC
   Tiempo de subida (tr): 21 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 84 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFP730F

HFP730F Datasheet (PDF)

..1. Size:404K semihow
hfp730f hfs730f.pdf

Dec 2016HFP730F / HFS730F400V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 400 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 6A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 0.8 100% Avalanche TestedQg, Typ 13 nC RoHS CompliantHFP730F HFS730FSymbolTO-220 TO-220FSSDDGGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unless oth

8.1. Size:340K shantou-huashan
hfp730.pdf

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP730 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description TO-220 these power MOSFETs is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. And DC-DC&DC-AC Converters for Telecom,Industrial and Consumer Environment 1- G 2-D 3

8.2. Size:202K semihow
hfp730u.pdf

Oct 2013BVDSS = 400 VRDS(on) typ = 0.75 HFP730U ID = 6.0 A400V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

8.3. Size:299K semihow
hfp730s.pdf

Nov 2013BVDSS = 400 VRDS(on) typ HFP730SID = 6.0 A400V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

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Liste

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