HFS3N80A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFS3N80A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 39 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 20 nC
Tiempo de subida (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 53 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFS3N80A
HFS3N80A Datasheet (PDF)
hfs3n80a.pdf
July 2022BVDSS = 800 VRDS(on) Typ = 3.5 HFS3N80AID = 3.0 A800V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 20 nC (Typ.) Extended Safe Opera
hfs3n80.pdf
Dec 2005BVDSS = 800 VRDS(on) typ HFS3N80ID = 3.0 A800V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES11 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area
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