Справочник MOSFET. HFS3N80A

 

HFS3N80A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS3N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HFS3N80A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS3N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:463K  semihow
 hfs3n80a.pdf pdf_icon

HFS3N80A

July 2022BVDSS = 800 VRDS(on) Typ = 3.5 HFS3N80AID = 3.0 A800V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 20 nC (Typ.) Extended Safe Opera

 7.1. Size:223K  semihow
 hfs3n80.pdf pdf_icon

HFS3N80A

Dec 2005BVDSS = 800 VRDS(on) typ HFS3N80ID = 3.0 A800V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES11 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

Другие MOSFET... HFP830F , HFS10N65JS , HFS10N80A , HFS12N65JS , HFS12N65SA , HFS18N50UT , HFS2N60F , HFS2N60FS , 60N06 , HFS4N60F , HFS4N60FS , HFS50N06A , HFS5N60F , HFS5N65JS , HFS5N65SA , HFS730F , HFS730S .

History: IXTV36N50P | IXTV30N60PS | 2SJ598-Z

 

 
Back to Top

 


 
.