HFS50N06A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFS50N06A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO220F

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HFS50N06A datasheet

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HFS50N06A

Oct 2016 HFP50N06A / HFS50N06A 60V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Superior Avalanche Rugged Technology BVDSS 60 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances ID 50 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 18 100% Avalanche Tested Qg, Typ 27 nC RoHS Compliant HFP50N06A HFS50N06A Symbol TO-220 TO-220F S S

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HFS50N06A

July 2005 BVDSS = 60 V RDS(on) = 18 m HFS50N06 ID = 50 A 60V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

Otros transistores... HFS12N65JS, HFS12N65SA, HFS18N50UT, HFS2N60F, HFS2N60FS, HFS3N80A, HFS4N60F, HFS4N60FS, AON7403, HFS5N60F, HFS5N65JS, HFS5N65SA, HFS730F, HFS730S, HFS7N80A, HFS830F, HFS8N60UA