Справочник MOSFET. HFS50N06A

 

HFS50N06A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS50N06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HFS50N06A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS50N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  semihow
 hfp50n06a hfs50n06a.pdf pdf_icon

HFS50N06A

Oct 2016HFP50N06A / HFS50N06A60V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Superior Avalanche Rugged TechnologyBVDSS 60 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic CapacitancesID 50 A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 18 100% Avalanche TestedQg, Typ 27 nC RoHS CompliantHFP50N06A HFS50N06ASymbolTO-220 TO-220FSS

 6.1. Size:227K  semihow
 hfs50n06.pdf pdf_icon

HFS50N06A

July 2005BVDSS = 60 VRDS(on) = 18 mHFS50N06ID = 50 A60V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) :

Другие MOSFET... HFS12N65JS , HFS12N65SA , HFS18N50UT , HFS2N60F , HFS2N60FS , HFS3N80A , HFS4N60F , HFS4N60FS , EMB04N03H , HFS5N60F , HFS5N65JS , HFS5N65SA , HFS730F , HFS730S , HFS7N80A , HFS830F , HFS8N60UA .

 

 
Back to Top

 


 
.