HFS7N80A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFS7N80A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 56 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 40 nC
Tiempo de subida (tr): 110 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 135 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFS7N80A
HFS7N80A Datasheet (PDF)
hfs7n80a.pdf
June 2021BVDSS = 800 VRDS(on) Typ = 1.55 HFS7N80AID = 7.0 A800V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Oper
hfs7n80.pdf
July 2005BVDSS = 800 VRDS(on) typ = 1.55 HFS7N80ID = 7.0 A800V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ ) E
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