HFS7N80A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFS7N80A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для HFS7N80A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS7N80A даташит

 ..1. Size:674K  semihow
 hfs7n80a.pdf pdf_icon

HFS7N80A

June 2021 BVDSS = 800 V RDS(on) Typ = 1.55 HFS7N80A ID = 7.0 A 800V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Extended Safe Oper

 7.1. Size:213K  semihow
 hfs7n80.pdf pdf_icon

HFS7N80A

July 2005 BVDSS = 800 V RDS(on) typ = 1.55 HFS7N80 ID = 7.0 A 800V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ ) E

Другие IGBT... HFS4N60F, HFS4N60FS, HFS50N06A, HFS5N60F, HFS5N65JS, HFS5N65SA, HFS730F, HFS730S, AO4407A, HFS830F, HFS8N60UA, HFS8N65JS, HFS8N65SA, HFS9N90A, HFT1N60F, HFU1N60F, HFU1N60S