Справочник MOSFET. HFS7N80A

 

HFS7N80A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS7N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HFS7N80A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS7N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:674K  semihow
 hfs7n80a.pdf pdf_icon

HFS7N80A

June 2021BVDSS = 800 VRDS(on) Typ = 1.55 HFS7N80AID = 7.0 A800V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Oper

 7.1. Size:213K  semihow
 hfs7n80.pdf pdf_icon

HFS7N80A

July 2005BVDSS = 800 VRDS(on) typ = 1.55 HFS7N80ID = 7.0 A800V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ ) E

Другие MOSFET... HFS4N60F , HFS4N60FS , HFS50N06A , HFS5N60F , HFS5N65JS , HFS5N65SA , HFS730F , HFS730S , AO3407 , HFS830F , HFS8N60UA , HFS8N65JS , HFS8N65SA , HFS9N90A , HFT1N60F , HFU1N60F , HFU1N60S .

History: IXFJ26N50P3 | AON7400 | KDS3512

 

 
Back to Top

 


 
.